发明名称 | 基板处理方法 | ||
摘要 | 本发明揭示一种基板处理方法,其包含:在矽基板表面上形成氧化膜的步骤;及在介以平面天线所导入之微波而形成之电浆中,将上述氧化膜暴露于在电浆中受激发之氮原子自由基,而将氮原子导入上述氧化膜中之步骤。 | ||
申请公布号 | TW200405582 | 申请公布日期 | 2004.04.01 |
申请号 | TW092113335 | 申请日期 | 2003.05.16 |
申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | 发明人 | 松山征嗣;菅原卓也;尾崎成则;中西敏雄;佐佐木胜 |
分类号 | H01L31/0248;H01L31/04 | 主分类号 | H01L31/0248 |
代理机构 | 代理人 | 陈长文 | |
主权项 | |||
地址 | 日本 |