发明名称 基板处理方法
摘要 本发明揭示一种基板处理方法,其包含:在矽基板表面上形成氧化膜的步骤;及在介以平面天线所导入之微波而形成之电浆中,将上述氧化膜暴露于在电浆中受激发之氮原子自由基,而将氮原子导入上述氧化膜中之步骤。
申请公布号 TW200405582 申请公布日期 2004.04.01
申请号 TW092113335 申请日期 2003.05.16
申请人 东京威力科创股份有限公司 发明人 松山征嗣;菅原卓也;尾崎成则;中西敏雄;佐佐木胜
分类号 H01L31/0248;H01L31/04 主分类号 H01L31/0248
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本