| 主权项 |
1.一种三稳态液晶显示装置(1),其包括(a)第一及第 二片相对之基板(2,2'),至少一片上具有配向涂层(4, 4'),而每一片皆具有至少一电极(3,3'),以界定一或 多个像素;(b)倾斜或被诱发倾斜之层列型液晶组合 物(6),位于该基板之间;及(c)一对正交放置之偏光 板(7,7'),各具有一偏光轴,一偏光轴系与液晶组合 物倾斜层列型或被诱导倾斜层列型中间相之零电 场光轴排列;其中该基板系放置成提供液晶组合物 之排列,该组合物包含至少一种可由下式表示之对 掌性液晶化合物: R-M-N-(P)b-OCH2C*HF-CH2O(CH2)a Rf (I) 其中M、N及P系个别选自芳族、杂芳族、脂环族、 杂脂环族、经取代芳族、经取代杂芳族、经取代 脂环族、及经取代杂脂环族环,该个别环系稠合或 非稠合,而该等环系藉由共价键结或有机连接基而 彼此连接;R系为烷基、烯基、烷氧基、或烷氧伸 烷基;*系表示一对掌中心;a系为整数0或1;b系为整 数0或1;而Rf系为全氟醚基, 其中该液晶组合物具有低于10伏特/微米之临界电 场値,以达到10百分比透光(E10);而其中该液晶组合 物于该装置之操作温度范围内具有低于250nC/cm2之 偏光(PS)。2.如申请专利范围第1项之装置,其中该 液晶组合物具有0至-1之记忆储备(M)。3.如申请专 利范围第1项之装置,其中该液晶组合物具有V型切 换。4.如申请专利范围第1项之装置,其中该该对掌 性液晶化合物系由下式表示 其中一或多个环氢原子可被氟原子置换。5.如申 请专利范围第1项之装置,其中该对掌性液晶化合 物系由下式中之一表示:6.如申请专利范围第1项之 装置,其中该液晶组合物另外包含至少一种非对掌 性液晶化合物,其包括(a)一氟化学末端部分,选择 性地含有至少一个侧链醚氧原子;(b)一烃或烃醚末 端部分;及(c)一连接该末端部分之中心核心。7.如 申请专利范围第6项之装置,其中该非对掌性液晶 化合物系由下式表示 其中d系为4至12之整数;w系为0或1之整数;就各(CxF2xO )而言,x个别系为1至10之整数;y系为1至6之整数;且z 系为1至4之整数。8.如申请专利范围第6项之装置, 其中该非对掌性液晶化合物系由下式中之一表示: 9.如申请专利范围第6项之装置,其中该液晶组合物 于该装置之操作温度范围内具有低于100nC/cm2之自 发偏光値(PS)。10.一种三稳态液晶显示装置(1),其 包括(a)第一及第二片相对之基板(2,2'),该基板中至 少一片上具有配向涂层(4,4'),而每一片皆具有至少 一电极(3,3'),以界定一或多个像素;(b)倾斜式被诱 发倾斜之层列型液晶组合物(6),位于该基板之间; 及(c)一对正交放置之偏光板(7,7'),各具有一偏光轴 ,一偏光轴系与液晶组合物倾斜层列型或被诱导倾 斜层列型中间相之零电场光轴排列;其中该基板系 放置成提供液晶组合物之排列,该组合物包含至少 一种下式之对掌性液晶化合物: R-M-N-(P)b-OCH2C*HF-CH2O(CH2)aRf (I) 其中该M、N及P系个别选自: 其中一或多个环氢原子可被氟原子置换;R系为具 有4至12个碳原子之烷基、烯基、烷氧基、或烷氧 伸烷基;*系表示一对掌中心;a系为整数0或1;b系为 整数0或1;而Rf系具有5至16个碳原子,而由通式(CxF2xO )zCyF2y+1表示,其中就(CxF2xO)而言,x个别系为1至10之 整数,y系为1至10之整数,而z系为1至4之整数,其中该 液晶组合物具有低于10伏特/微米之临界电场値,以 达到10百分比透光(E10);而其中该液晶组合物于该 装置之操作温度范围内具有低于250nC/cm2之偏光(PS) 。11.一种驱动三稳态液晶显示装置之方法,其包括 于包含该液晶组合物之如申请专利范围第1项之液 晶显示装置上施加电压之步骤,该电压足以使该液 晶组合物之零电场光轴自零电场状态偏向强诱电 性状态,而于该零电场光轴中产生净倾斜。图式简 单说明: 图1系显示本发明液晶显示装置之一具体实例的剖 面图。 图2系显示本发明具有正値记忆储备之液晶装置之 一具体实例的电光响应(双重迟滞)。 图3系显示本发明具有负値记忆储备之液晶装置之 一具体实例的电光响应(双重迟滞)。 |
