| 主权项 |
1.一种动态随机存取记忆体之电容器下电极的制 造方法,适用于一基底,该基底已完成位元线与金 氧半电晶体之制造、该方法包括: 于该基底上形成一第一介电层; 于该第一介电层上形成一共形的氮化矽层,其中该 氮化矽层之蚀刻速率系低于该第一介电层之蚀刻 速率; 定义该氮化矽层、该第一介电层与该基底,以形成 一第一开口,其中该第一开口之形状系由上往下逐 渐收缩; 将该第一开口填入一第一导电层,用以当作一插塞 ,且该插塞之形状系由上往下逐渐收缩; 于该氮化矽层与该插塞上形成一第二介电层; 定义该第二介电层,以形成一第二开口 于该第二开口内部侧壁与底部形成与该第二开口 共形的一第二导电层;以及 于该第二导电层所暴露出之表面上形成一半球状 矽晶粒层。2.如申请专利范围第1项所述之动态随 机存取记忆体之电容器下电极的制造方法,其中该 第一介电层包括硼磷矽玻璃。3.如申请专利范围 第1项所述之动态随机存取记忆体之电容器下电极 的制造方法,其中该第一介电层厚度约3000~6000埃。 4.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆 体之电容器下电极的制造方法,其中该氮化矽层厚 度约200~500埃。5.如申请专利范围第1项所述之动态 随机存取记忆体之电容器下电极的制造方法,其中 定义该氮化矽层、该第一介电层与该基底,以形成 该第一开口之方法包括微影蚀刻法。6.如申请专 利范围第1项所述之动态随机存取记忆体之电容器 下电极的制造方法,其中定义该氮化矽层、该第一 介电层与该基底之方法包括一反应性离子蚀刻法 。7.如申请专利范围第6项所述之动态随机存取记 忆体之电容器下电极的制造方法,其中该反应性离 子蚀刻法之操作压力为20~50mTorr。8.如申请专利范 围第6项所述之动态随机存取记忆体之电容器下电 极的制造方法,其中该反应性离子蚀刻法之RF功率 为1200~1700W。9.如申请专利范围第6项所述之动态随 机存取记忆体之电容器下电极的制造方法,其中该 反应性离子蚀刻法之C4F8流量15~45sccm,CO流量50~150 sccm,Ar流量200~350sccm,O2流量5~20sccm。10.如申请专利 范围第1项所述之动态随机存取记忆体之电容器下 电极的制造方法,其中该第二介电层包括硼磷矽玻 璃。11.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取 记忆体之电容器下电极的制造方法,其中该第二介 电层厚度约10000~20000埃。12.如申请专利范围第1项 所述之动态随机存取记忆体之电容器下电极的制 造方法,其中该第二开口之形成方法包括以该氮化 矽层为终止层,定义该第二介电层。图式简单说明 : 第1A图至第1F系显示根据本发明较佳实施例之动态 随机存取记忆体之电容器下电极的制造流程剖面 图。 |
