Halbleiterbauelement mit reduzierter Gateüberlappungskapazitanz und Verfahren zur Herstellung des Halbleiterbauelements

摘要

Es ist ein MOS-Transistor (100, 200, 300, 300A, 400) bereitgetellt, der in der Lage ist, die Gateüberlappungskapazitanz zu reduzieren, ohne den Steuerstrom des MOS-Transistors zu vermindern. Im Einzelnen kann eine Doppelwinkel-Smile-Oxidationsstruktur (23) erhalten werden, indem die Seitenfläche einer Gateelektrode (3, 22, 32) so gekrümmt ist, dass sie nach oben breiter wird, und indem die Re-Oxidation der Randabschnitt einer Gateoxidschicht (2, 21, 31) dicker gemacht wird. Die Störstoffkonzentration einer Source/Drain-Schicht (28, 38) unter der Doppelwinkel-Smile-Oxidationsstruktur (ein Bereich um Punkt B) liegt im Bereich von 4 x 10·18· cm·-3· +- 40%.