Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung

摘要

Bei einer aus mehreren Teilschichten 1, 2, 3, 4 bestehenden Halbleiteranordnung 20 grenzt eine Teilschicht 4 über den größten Teil einer Querschnittsfläche BC im Inneren der Halbleiteranordnung 20 unmittelbar an eine erste Teilschicht 2 und nur in einem vergleichsweise schmalen Randbereich der Querschnittsfläche BC an eine zweite Teilschicht 1. Die Halbleiteranordnung zeichnet sich durch einen geringen Bahnwiderstand und eine hohe Durchbruchsspannung im Randbereich aus. Weiter wird ein Verfahren zur Herstellung dieser Halbleiteranordnung angegeben.