| 发明名称 | 金属内连线的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示一种金属内连线的制造方法，适用于一半导体基底，其表面上包含有一低介电常数介电层，此方法包括下列步骤：在该低介电常数介电层表面施行一沉积程序，以形成一无氮抗反射层，其中上述沉积程序是以含硅与含氧气体，加上氢气的混合气体作为反应气体；以一光阻层图案作为掩膜蚀刻该无氮抗反射层；以及以该光阻层及该无氮抗反射层图案作为掩膜蚀刻该低介电常数介电层，其中在上述处理同时或之后加上一氢气的电浆处理程序，以得到一介层窗或沟槽。 | ||
| 申请公布号 | CN1485896A | 申请公布日期 | 2004.03.31 |
| 申请号 | CN02144078.6 | 申请日期 | 2002.09.29 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 包天一;黎丽萍;章勋明 |
| 分类号 | H01L21/768 | 主分类号 | H01L21/768 |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈红;楼仙英 |
| 主权项 | 1.一种金属内连线的制造方法，适用于一半导体基底，其表面上包含有一低介电常数介电层，此方法包括下列步骤：(a)在该低介电常数介电层表面形成一无氮抗反射层；(b)以一光阻层图案作为掩膜蚀刻该无氮抗反射层；以及(c)以该光阻层及该无氮抗反射层图案作为掩膜蚀刻该低介电常数介电层，以得到一开口。 | ||
| 地址 | 中国台湾 | ||