| 发明名称 | 高频高介电常数微波介质陶瓷及其加工方法 | ||
| 摘要 | 一种高频高介电常数微波介质陶瓷及其加工方法，由优化的BaO-TiO<SUB>2</SUB>-Ta<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB>系列和BaO-TiO<SUB>2</SUB>-Bi<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>系列陶瓷粉料用一定量的纳米级Zn、Sn、Mg、Ni、La、Dy液相添加料经搅磨混合、喷雾干燥和烧制后得到，用本粉料制备得到微波电子陶瓷器件其性能超过日本富士通公司微波介质陶瓷样品有关性能指标。 | ||
| 申请公布号 | CN1143836C | 申请公布日期 | 2004.03.31 |
| 申请号 | CN01108070.1 | 申请日期 | 2001.01.22 |
| 申请人 | 兰招武 | 发明人 | 熊兆贤;兰招武 |
| 分类号 | C04B35/46;C04B35/622;H01B3/12 | 主分类号 | C04B35/46 |
| 代理机构 | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 | 代理人 | 吴启运 |
| 主权项 | 1、一种高频高介电常数微波介质陶瓷，由陶瓷粉料和纳米级添加料所构成，其特征在于：(1)各组分的摩尔百分比为： BaO 10-56 TiO2 9-59 Ta2O5 13-26 纳米级Ni或Sn 3-11 纳米级Zn或Mg 2-9；(2)各组份的比例为： BaO 15-48mol％ TiO2 28-62mol％ Nd2O3 3-16mol％ Bi2O3 4-9mol％ 纳米级La或Dy 1-15Wt％；所述的纳米级原料是用溶液-凝胶法制备得到的纳米级Ni或Sn、纳米级Zn或Mg、纳米级La或Dy。 | ||
| 地址 | 230031安徽省合肥高新开发区创业大道1号佳友大楼 | ||