| 发明名称 | 形成配线结构的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种形成铜配线的方法，其中在非氧化气氛下基片被冷却至160摄氏度以下后把具有铜配线的基片暴露在大气中。通常是将基片暴露于相对较高的温度下，这使得基片上配线间的电阻更高,阻碍了高度集成化。按照本发明，由于将基片暴露在相对较低的温度下从而可减少上述电阻值以实现高度集成化。 | ||
| 申请公布号 | CN1144279C | 申请公布日期 | 2004.03.31 |
| 申请号 | CN99106126.8 | 申请日期 | 1999.04.28 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 松原义久 |
| 分类号 | H01L21/768;H01L21/28 | 主分类号 | H01L21/768 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 姜丽楼 |
| 主权项 | 1、一种形成铜配线结构的方法，其特征在于，它包括下述步骤：在基片上形成暴露的铜配线以形成晶片，在一个非氧化气氛的热处理炉中对晶片进行热处理，在非氧化气氛下将铜配线的温度降至160摄氏度以下以及将经过热处理的晶片暴露在大气中进行冷却。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||