| 发明名称 | 大面积晶体的温梯法生长装置及其生长晶体的方法 | ||
| 摘要 | 一种大面积晶体的温梯法生长装置及其生长晶体的方法，该装置包括钟罩式真空电阻炉，炉体内部的结构包含坩埚和发热体，坩埚置于炉体内中心位置上，坩埚是底部中心带有一籽晶槽的锥形坩埚，所述的发热体是由圆筒形石墨主发热体和锥状异形辅发热体构成，炉体之外另附真空系统、UPS稳压电源、2套可控硅触发线路和2套智能温控仪，分别作为主发热体和辅发热体的加热电源，独立控温，分别设有热电偶对主发热体和辅发热体的温度进行测试。本发明装置在晶体生长过程中可以动态调整温度梯度，生长后期实现晶体原位退火。利用本发明可以对易开裂晶体，如氟化钙晶体、铝酸钇晶体、石榴石晶体和蓝宝石晶体等生长出直径大于5英寸的完整的不开裂的晶体。 | ||
| 申请公布号 | CN1485467A | 申请公布日期 | 2004.03.31 |
| 申请号 | CN03142108.3 | 申请日期 | 2003.08.08 |
| 申请人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明人 | 周国清;徐军;司继良;赵广军;邓佩珍 |
| 分类号 | C30B11/00 | 主分类号 | C30B11/00 |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人 | 张泽纯 |
| 主权项 | 1、一种大面积晶体的温梯法生长装置，包括钟罩式真空电阻炉，炉体内部的结构包含坩埚和发热体，坩埚(1)置于炉体内中心位置上，坩埚(1)是底部中心带有一籽晶槽的锥形坩埚，其特征在于所述的发热体是由园筒形石墨主发热体(2)和锥状异形辅发热体(3)构成，炉体之外另附真空系统、UPS稳压电源、2套可控硅触发线路和2套智能温控仪，分别作为主发热体(2)和辅发热体(3)的加热电源，独立控温，分别设有测量辅发热体(3)和主发热体(2)温度的热电偶(5)和热电偶(12)。 | ||
| 地址 | 201800上海市800－211邮政信箱 | ||