| 发明名称 | 使用低能离子注入形成半导体器件的浅阱的方法 | ||
| 摘要 | 提供一种使用低能离子注入形成半导体器件的浅阱的方法。在一个实施例中，使用低能、高剂量离子注入工艺形成阱区至沟槽隔离层的深度。 | ||
| 申请公布号 | CN1485895A | 申请公布日期 | 2004.03.31 |
| 申请号 | CN03132862.8 | 申请日期 | 2003.07.24 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李宰圭 |
| 分类号 | H01L21/76;H01L21/302;H01L21/265 | 主分类号 | H01L21/76 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 谢丽娜;谷惠敏 |
| 主权项 | 1.一种形成阱的方法，该方法包括：在半导体衬底中形成隔离沟槽；有选择地执行低能、高剂量离子注入，穿过沟槽的底部，由此在沟槽下形成高浓度阱；用绝缘层填充沟槽，由此在高浓度阱中形成绝缘层；以及在包括绝缘层的半导体衬底上执行低能离子、低剂量注入，由此在半导体衬底中形成低浓度阱至与高浓度阱的上部部分地重叠的深度。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市 | ||