发明名称 |
掺杂钛酸钡巨磁阻器件及制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种掺杂钛酸钡和掺杂镧锰氧巨磁阻器件。它包括:衬底、电极和引线和至少设置1个p-n结结构,该p-n结结构由一层p型掺杂镧锰氧层与一层n型掺杂钛酸钡层,或一层n型掺杂钛酸钡层与p型掺杂镧锰氧层交替设置在衬底上组成;电极分别设置在最上面的p型掺杂镧锰氧层或n型掺杂钛酸钡层和衬底上/或设置在衬底上的第一层p型掺杂镧锰氧层或n型掺杂钛酸钡层上,电极上连接引线。该器件是一种多p-n结结构的高灵敏度磁功能器件,即使在室温和低强度磁场下,也仍然具有很高的灵敏度,可广泛应用于磁探测、磁测量和磁控制。 |
申请公布号 |
CN1485934A |
申请公布日期 |
2004.03.31 |
申请号 |
CN02129246.9 |
申请日期 |
2002.09.27 |
申请人 |
中国科学院物理研究所 |
发明人 |
吕惠宾;颜雷;陈正豪;戴永愚;郭海中;刘立峰;相文峰;何萌;周岳亮;杨国桢 |
分类号 |
H01L43/08;H01L43/12 |
主分类号 |
H01L43/08 |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 |
代理人 |
王凤华 |
主权项 |
1.一种掺杂钛酸钡巨磁阻器件,包括:衬底、电极和引线;其特征在于:在衬底上还包括至少设置1个p-n结结构或1个以上p-n结结构,该p-n结结构由一层p型掺杂镧锰氧层与一层n型掺杂钛酸钡层,或一层n型掺杂钛酸钡层与p型掺杂镧锰氧层交替设置在衬底上组成;电极分别设置在最上面的p型掺杂镧锰氧层或n型掺杂钛酸钡层和衬底上/或设置在衬底上的第一层p型掺杂镧锰氧层或n型掺杂钛酸钡层上,电极上连接引线。 |
地址 |
100080北京市海淀区中关村南三街8号 |