形成晶片级别芯片规模封装的方法及由此形成的封装

摘要

金层(405)设置在带突点的晶片(205)上的铜柱(210)的上表面(225)上。然后将涂覆材料(410)施加到低于铜柱(210)的高度处，设置腐蚀剂以除去金层(405)上的涂覆材料，并除去附着到铜柱(210)侧面的涂覆材料(410)。然后将焊料球(405)设置在铜柱(210)的端部，铜柱(210)伸入到焊料球(405)内。在可替代实施例中，焊料球首先附着到铜柱的自由端，施加涂覆材料以密封半导体晶片上的焊料球和铜柱。然后使用腐蚀剂除去部分涂覆材料，从而充分露出焊料球。

主权项

1.一种形成晶片级别芯片规模封装的方法，该方法包括以下步骤：a)提供表面具有多个焊盘的半导体晶片，其中每个焊盘具有从表面延伸第一预定距离的导体；b)在导体的自由端上形成导电耐腐蚀材料层；c)在半导体晶片的表面上设置电绝缘材料，其中电绝缘材料层具有距半导体晶片表面第二预定距离的显露表面，其中第二预定距离小于第一预定距离，并且其中部分电绝缘材料设置在导电耐腐蚀材料层上和至少一些导体的侧面上；和d)充分去除设置在导电耐腐蚀材料层和至少一些导体的侧面上的所有电绝缘材料。