| 发明名称 | III族氮化物半导体器件 | ||
| 摘要 | 在本发明中，用(Ti<SUB>1－x</SUB>A<SUB>x</SUB>)N(其中，A是选自Al、Ga和In中的至少一种金属)作为金属氮化物层，以在金属氮化物层上形成III族氮化物半导体层。当在具有足够厚度的金属氮化物层和衬底之间形成钛层和除去钛层时，可以得到用金属氮化物作为衬底的III族氮化物半导体器件。 | ||
| 申请公布号 | CN1486513A | 申请公布日期 | 2004.03.31 |
| 申请号 | CN02803753.7 | 申请日期 | 2002.01.10 |
| 申请人 | 丰田合成株式会社 | 发明人 | 千代敏明;伊藤润;柴田直树 |
| 分类号 | H01L33/00;H01L21/203;H01L21/205;C30B29/40 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 陈长会 |
| 主权项 | 1、一种III族氮化物半导体器件，其包括：由(Ti1-XAX)N制成的金属氮化物层，其中，A是选自A1、Ga和In中的至少一种金属；和形成在所说的金属氮化物层上的III族氮化物半导体层。 | ||
| 地址 | 日本国爱知县 | ||