| 发明名称 | 形成接触孔的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种形成接触孔的方法包括下列步骤：首先，提供一衬底，该衬底上形成有一多晶硅栅极结构，并且在该多晶硅栅极结构的两侧的衬底中形成有源极/漏极区域。形成一扩散阻挡层于该衬底、该多晶硅栅极层及该源极/漏极区域上。至少一内层介电层形成于该扩散阻挡层上。形成一图案化的多晶硅层于该内层介电层上，该图案化的多晶硅层具有一对应于该源极/漏极区域中之一的开口。利用该图案化的多晶硅层来作为一硬掩模，以蚀刻该内层介电层，直到暴露出该扩散阻挡层为止。将该图案化的多晶硅层氧化成为一氧化硅层。去除在该源极/漏极区域中之一上的所暴露的该扩散阻挡层。 | ||
| 申请公布号 | CN1485887A | 申请公布日期 | 2004.03.31 |
| 申请号 | CN02143275.9 | 申请日期 | 2002.09.25 |
| 申请人 | 茂德科技股份有限公司 | 发明人 | 叶芳裕;陈俊哲;董明圣 |
| 分类号 | H01L21/30 | 主分类号 | H01L21/30 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
| 主权项 | 1.一种形成接触孔的方法，其包括下列步骤：提供一衬底，其具有一多晶硅栅极结构，形成于该衬底上，以及源极/漏极区域，形成于该多晶硅栅极结构的两侧的衬底中；形成一扩散阻挡层于该衬底、该多晶硅结构、该源/漏极区域上；形成至少一内层介电层于该扩散阻挡层上；形成一图案化的多晶硅层于该内层介电层上，该图案化的多晶硅层具有一对应于该源极/漏极区域中之一的开口；使用该图案化的多晶硅层作为一硬掩模，以蚀刻该内层介电层，直到该扩散阻挡层曝露为止，藉以形成一接触孔于该源/漏极区域中之一的上方的该内层介电层中；将该图案化的多晶硅层氧化成为一氧化硅层；以及去除在该源/漏极区域中之一上的所曝露的该扩散阻挡层。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园 | ||