发明名称 | 抛光垫及其使用方法 | ||
摘要 | 化学修饰制造半导体器件用的晶片的方法,包括(1)使晶片表面与在整个表面上包含许多重复单元的制品(10)接触,每个单元(12)至少包含三维结构(20)的一部分,其特点是单元参数如下:[(V<SUB>1</SUB>-Vs)/Aas]/√Auc>5,其中V<SUB>1</SUB>是单元面积乘以单元结构的高度得到的体积,Vs是单元结构的体积,Aas是单元结构的表观接触面积,Auc是单元的面积;(2)在抛光组合物存在的条件下,至少相对移动晶片和所述制品中的一个,所述抛光组合物能与晶片表面发生化学反应,从而能提高或者降低去除至少一部分晶片表面的速度。 | ||
申请公布号 | CN1486233A | 申请公布日期 | 2004.03.31 |
申请号 | CN01821824.5 | 申请日期 | 2001.06.15 |
申请人 | 3M创新有限公司 | 发明人 | J·S·科隆吉;R·P·梅斯纳 |
分类号 | B24D11/00;B24B37/04 | 主分类号 | B24D11/00 |
代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 周承泽 |
主权项 | 1.一种化学修饰适于制造半导体器件的晶片的方法,其特征在于所述方法包括:(1)使晶片表面与整个表面上包含许多重复单元的制品接触,每个单元至少包含三维结构的一部分,其特点是单元参数如下: [(V1-Vs)/Aas]/√Auc>5其中,V1是单元面积乘以单元结构的高度得到的体积,Vs是单元结构的体积,Aas是单元结构的表观接触面积,Auc是单元的面积;(2)在抛光组合物存在条件下,至少相对移动晶片和所述制品中的一个,所述抛光组合物能与晶片表面发生化学反应,从而能提高或者降低去除至少一部分晶片表面的速度。 | ||
地址 | 美国明尼苏达州 |