| 发明名称 | 铌粉、铌烧结体、铌烧结体的化学改性体以及使用它们的电容器 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种将从铌粒子的表面至深度50～200nm的层的平均氮浓度控制为0.29～4质量％、进一步优选至深度50nm的层的氮浓度控制为0.19～1质量％的，可提供泄漏电流值小的电容器用铌粉、铌烧结体、铌烧结体的化学改性体以及使用它们的电容器。 | ||
| 申请公布号 | CN1486498A | 申请公布日期 | 2004.03.31 |
| 申请号 | CN02803672.7 | 申请日期 | 2002.10.01 |
| 申请人 | 昭和电工株式会社 | 发明人 | 河边功;内藤一美 |
| 分类号 | H01G9/052;H01G9/04;H01G9/028;H01G9/032;H01G9/035 | 主分类号 | H01G9/052 |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 段承恩;刘金辉 |
| 主权项 | 1.一种含有氮的电容器用铌粉，其特征在于，从铌粉粒子表面到深度50～200nm的平均氮浓度为0.29～4质量％。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||