具有双栅极氧化层的混合模拟组件电容器的制造方法

摘要

本发明公开一种具有双栅极氧化层的混合模拟组件电容器的制造方法，其是在一半导体基底中先形成有浅沟渠隔离结构，然后再以两次多晶硅层沉积来同时形成不同厚度的双栅极氧化层与电容器的上、下电极；于形成电容器结构的后，接着在半导体基底中依序形成轻掺杂源/漏极区域、栅极间硅壁及重掺杂源/漏极区域，以完成晶体管结构的制作。本发明具有制程简单，且不需任何额外制程步骤的优点，并可制作出品质更容易控制的双栅极氧化层，以确保组件特性。

主权项

1、一种具有双栅极氧化层的混合模拟组件电容器的制造方法，其特征是包括下列步骤：提供一半导体基底，其是已形成数浅沟渠隔离区域，并将该半导体基底隔离为第一主动区域及第二主动区域；在该半导体基底表面依序形成一薄栅极氧化层、第一多晶硅层、一介电质层及一第一图案化光阻；以该第一图案化光阻为屏蔽，去除露出的该介电质层及该第一多晶硅层，则在该浅沟渠隔离区域上方留下的该第一多晶硅层与介电质层是作为电容器的下电极，且在该第一主动区域上亦保留具有该薄栅极氧化层的该第一多晶硅层，随后去除该第一图案化光阻；去除露出的该薄栅极氧化层；在该半导体基底的第二主动区域表面形成一厚栅极氧化层；再于该半导体基底上先后形成一第二多晶硅层及一第二图案化光阻；以该第二图案化光阻为屏蔽，去除露出的该第二多晶硅层，仅留下位于该介电质层及该厚栅极氧化层上的第二多晶硅层，且该介电质层上的第二多晶硅层是作为电容器的上电极，而后移除该第二图案化光阻；以及最后于该半导体基底中依序形成轻掺杂源/漏极区域、栅极间硅壁及重掺杂源/漏极区域。