制造1T1R电阻型存储阵列的方法

摘要

一种在半导体基片上形成1T1R电阻型存储阵列结构的方法，包括：a)在半导体基片上形成覆盖门氧化物的多晶硅化物/氧化物/氮化物栅层叠；b)制造邻近栅层叠的源和漏区；c)在暴露的源和漏区上进行自对准金属硅化，以形成自对准金属硅化物；d)沿着栅层叠形成氮化物侧壁；e)沉积和平面化硅氧化物绝缘层，使其和栅层叠水平；f)制作布线图案和蚀刻连接漏区的位接触点；g)沉积和平面化底电极；h)沉积电阻型存储材料层；以及i)在电阻型存储材料上形成顶电极。

主权项

1、一种在半导体基片上形成1T1R电阻型存储阵列结构的方法，该方法包括：a)在半导体基片上形成覆盖门氧化物的多晶硅化物/氧化物/氮化物栅层叠；b)制造邻近栅层叠的源和漏区；c)在暴露的源和漏区上进行自对准金属硅化方法，以形成自对准金属硅化物；d)沿着栅层叠形成氮化物侧壁；e)沉积和平面化硅氧化物绝缘层，使其和栅层叠水平；f)制作布线图案和蚀刻连接漏区的位接触点；g)沉积和平面化底电极；h)沉积电阻型存储材料层；以及i)在电阻型存储材料上形成顶电极。