| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置的制造方法，优点是在将多个半导体元件混合集成化而形成的半导体装置中，制造时既采用FSA工艺，又可以容易并且确实地安装各半导体元件。该制造方法的特征是：半导体激光装置(100)具备：具有邻接主面形成的第一凹部(10a)以及第二凹部(10b)的基板(10)；分别嵌入一部分到各凹部(10a、10b)中的第一半导体激光元件11以及第二半导体激光元件(12)。各凹部(10a、10b)的深度都要比嵌入凹部(10a、10b)的第一以及第二半导体激光元件(11、12)的高度要小。 | ||
| 申请公布号 | CN1485963A | 申请公布日期 | 2004.03.31 |
| 申请号 | CN03147458.6 | 申请日期 | 2003.07.11 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 小野泽和利;上田哲三;上田大助 |
| 分类号 | H01S5/022;H01S5/40;H01L23/12;H01L21/58;G11B7/12 | 主分类号 | H01S5/022 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其特征在于：具备：在主面上具有多个凹部的基板；和分别将其一部分嵌入到所述多个凹部中的多个半导体元件，所述各凹部的深度，比所述嵌入各凹部的所述半导体元件的高度要小。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||