| 摘要 |
Zu einem Verfahren zum Herstellen eines resistiven Halbleiterspeichers (10) gehören das Abscheiden einer Isolierschicht (34) auf einem Werkstück (30) und das Ausbilden eines Musters für eine Anzahl von Ausrichtmarkierungen (22) und eine Anzahl von Leitungen (54) innerhalb der Isolierschicht (34). Auf den Ausrichtmarkierungen (22) wird ein Resist (50) hergestellt, und auf dem Wafer wird ein leitendes Material (52) abgeschieden, um das leitende Muster aufzufüllen. Der Wafer wird chemisch-mechanisch poliert, um überschüssiges leitendes Material über der Isolierschicht zu entfernen und Leitungen (54) auszubilden. Der Resist (50) wird von über den Ausrichtmarkierungen (22) entfernt, und die Ausrichtmarkierungen (22) werden zur Ausrichtung anschließend abgeschiedener Schichten des resistiven Speichers (10) verwendet.
|
