半导体器件及其有关集成电路

摘要

一种薄膜晶体管或集成电路，包括一绝缘基片，在该基片上形成的TFTs(薄膜晶体管)，以及多层导电互连。该电路具有成为栅电极与栅互连的第一金属化层。第一金属化层的表面经阳极氧化，氧化形成第一金属化表面上的绝缘被覆膜，变成源与漏电极或导电互连的第二金属层,于是直接或经过一层间绝缘层形成在绝缘被覆膜上。随之改进成品率及改善可靠性。

主权项

1.一种有源矩阵器件，包括：至少一个顶部栅薄膜晶体管，形成于一基片之上；一个象素电极，形成于所述基片之上并与所述薄膜晶体管电连接；一个电容器，形成于一电容器形成电极和所述象素电极的一部分的之间，一绝缘膜置于其间，其中所述绝缘膜包括所述电容器形成电极的氧化表面。