| 发明名称 | 高K介质膜及其制造方法 | ||
| 摘要 | 介质层包括镧、铝、氮和氧，形成在两个导体或者导体与衬底之间。在一个实施例中，在镧、氮或铝中使介质层渐变。另外的绝缘层可以形成在导体或者衬底和介质层之间。此介质层可以通过原子层化学汽相沉积、物理汽相沉积、有机金属化学汽相沉积或者脉冲激光沉积形成。 | ||
| 申请公布号 | CN1484311A | 申请公布日期 | 2004.03.24 |
| 申请号 | CN02142437.3 | 申请日期 | 2002.09.19 |
| 申请人 | 摩托罗拉公司 | 发明人 | B－Y·尼谷彦;H－W·周;X－P·王 |
| 分类号 | H01L27/04;H01L21/31 | 主分类号 | H01L27/04 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 蔡胜有 |
| 主权项 | 1.一种半导体结构，其特征在于，半导体衬底；半导体衬底上包括镧、铝、氧和氮的介质层；和介质层上的电极。 | ||
| 地址 | 美国伊利诺斯 | ||