| 发明名称 | 氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种氮化镓系III－V族化合物半导体器件的制造方法，所述半导体器件具有形成在具有第一和第二主表面的衬底的第一主表面上、形成第一电极的n型氮化镓系III－V族化合物半导体层和形成第二电极的p型氮化镓系III－V族化合物半导体层的半导体叠层结构，其特征在于：对所述第二电极在形成金属层之后进行热处理，以改善透光性和欧姆性能。 | ||
| 申请公布号 | CN1484327A | 申请公布日期 | 2004.03.24 |
| 申请号 | CN03145870.X | 申请日期 | 1994.04.28 |
| 申请人 | 日亚化学工业株式会社 | 发明人 | 中村修二;山田孝夫;妹尾雅之;山田元量;板东完治 |
| 分类号 | H01L33/00;H01L21/324 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1.氮化镓系III-V族化合物半导体器件的制造方法，所述半导体器件具有形成在具有第一和第二主表面的衬底的第一主表面上、形成第一电极的n型氮化镓系III-V族化合物半导体层和形成第二电极的p型氮化镓系III-V族化合物半导体层的半导体叠层结构，其特征在于：对所述第二电极在形成金属层之后进行热处理，以改善透光性和欧姆性能。 | ||
| 地址 | 日本德岛 | ||