| 发明名称 | 绝缘衬底、其制作方法及具有绝缘衬底的模块半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种绝缘衬底(1)，包括：互相叠置的绝缘陶瓷层(2、3)、由与陶瓷层材料不同的材料构成并位于互相邻接的陶瓷层之间以将它们接合在一起的中间层(4)、与陶瓷层中的顶层的顶面接合的第一导电层(5)；以及与陶瓷层中的底层的底面接合的第二导电层(6)。即使陶瓷层中的任何一个具有低于设计强度的强度并由于例如热应力而引发裂纹，其余的陶瓷层也能够确保绝缘衬底的规定击穿电压。 | ||
| 申请公布号 | CN1143382C | 申请公布日期 | 2004.03.24 |
| 申请号 | CN99126109.7 | 申请日期 | 1999.12.10 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 石渡裕;永田晃则;清水敏夫;平本裕行;谷口安彦;荒木浩二;福吉宽;小森田裕 |
| 分类号 | H01L23/15;H05K3/40;H05K1/00 | 主分类号 | H01L23/15 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1.一种绝缘衬底，包括：互相叠置的绝缘陶瓷层；配置于邻接陶瓷层之间用来将邻接陶瓷层互相接合的中间层；与陶瓷层中的顶层的顶面接合的第一导电层；以及与陶瓷层中的底层的底面接合的第二导电层。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||