| 主权项 |
1.一种存储单元阵列的制造方法，至少包括下列步骤：(a)在一半导体基底上形成多个沟槽；(b)在该半导体基底上形成一第一绝缘层，用以填满该多个沟槽；(c)去除在该半导体基底上的该第一绝缘层，留下填满的该多个沟槽，形成多个绝缘塞；(d)在该半导体基底和该多个绝缘塞上，沉积一第二绝缘层；(e)在该第二绝缘层上形成一第一开口，露出部分该半导体基底，以及露出该多个绝缘塞中的一绝缘塞的角落；(f)去除该绝缘塞角落下的该第一绝缘层，形成一凹槽；(g)在该第二绝缘层、露出的部分该半导体基底和该凹槽上形成一掺杂的第一多晶硅层；(h)在该掺杂的第一多晶硅层上沉积一导电层，且该导电层填满该凹槽；(i)去除该导电层、该掺杂的第一多晶硅层，留下在该凹槽中的该导电层和该掺杂的第一多晶硅层；(j)继续进行一蚀刻凹陷步骤，至该半导体基底的表面之下，形成一导电塞，用以作为一位线；(k)在该导电塞上及周缘形成一第三绝缘层，用以埋藏该位线；(l)在该半导体基底上形成一栅极绝缘层，且在该栅极绝缘层上形成一栅极；(m)在该栅极旁的该半导体基底上形成一轻掺杂的源极/漏极区，且该轻掺杂的源极/漏极区分布于该第三绝缘层和该多个沟槽之间的区域；(n)在该栅极旁侧形成一间隙壁；(o)在该间隙壁旁的该半导体基底上形成一重掺杂的源极/漏极区，于是该轻掺杂的源极/漏极区、该重掺杂的源极/漏极区与该栅极形成一转移晶体管；(p)进行一回火步骤，使得该重掺杂的源极/漏极区、该轻掺杂的源极/漏极区和该掺杂的第一多晶硅层中的杂质会扩散而相接触；(q)在上述各层上沉积一第四绝缘层；(r)在该第四绝缘层形成一第二开口，露出该轻掺杂的源极/漏极区与该重掺杂的源极/漏极区的表面；(s)在该第二开口周缘形成一第二多晶硅层，用以填满该第二开口，形成一下电极；(t)在该下电极上形成一介电层；以及(u)在该介电层上沉积一第三多晶硅层，用以形成一上电极，于是该下电极和该上电极形成一堆叠电容的结构。 |
