磁阻随机存取存储器写入装置及方法

摘要

公开了一种MRAM单元(10)及其编程方法。该单元包括磁性材料的自由层(12)，该磁性材料在谐振频率处铁磁谐振，铁磁谐振具有大于1的品质因数。一难磁化轴写线和一易磁化轴写线设置为与所述自由层磁连通。一包层(62)部分环绕所述难磁化轴写线，并具有类似的谐振频率，铁磁谐振Q大于一。包括所述谐振频率的写信号施加到难磁化轴写线(20)，同时一写入脉冲施加到所述易磁化轴写线(21)。该单元和包层的Q相乘而大大增加了反转磁场，或者说减小了提供相同的磁场所需要的电流。

主权项

1.一种MRAM写入装置，包括：MRAM单元，包括磁性材料的自由层，该磁性材料具有在相关谐振频率处的铁磁谐振；设置为与磁性材料的所述自由层磁连通的难磁化轴写线；设置为与磁性材料的所述自由层磁连通的易磁化轴写线；以及难磁化轴写线和易磁化轴写线中的一个耦合接收包括所述相关谐振频率的一个写信号。