| 发明名称 | 电容器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体器件中的电容器及其制造方法，以保证电容量，而没有亚稳多晶硅晶粒生长过程中的合并现象。制作步骤开始于制作一个衬底。在衬底上形成一个层间介电层且将其蚀刻以形成导电插塞。然后，在整个表面上形成一个蚀刻阻挡层和一个牺牲绝缘层。利用牺牲绝缘层在导电插塞之上形成一个筒型第一电极。之后，在除其底部区域之外的第一电极内壁上形成第一亚稳多晶硅晶粒。但是，在该底部区域上形成小尺寸的第二亚稳多晶硅晶粒以增大第一电极的存储面积。最后，在第一电极上形成一个介电层和一个第二电极。 | ||
| 申请公布号 | CN1484293A | 申请公布日期 | 2004.03.24 |
| 申请号 | CN02160883.0 | 申请日期 | 2002.12.31 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 申东旴;崔亨福 |
| 分类号 | H01L21/70;H01L21/8242;H01L21/28;H01L21/31 | 主分类号 | H01L21/70 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
| 主权项 | 1.一种电容器制造方法，包括步骤：(a)在半导体衬底上形成一个牺牲绝缘层；(b)将牺牲绝缘层构图为预定的结构以得到开口；(c)在牺牲绝缘层和开口上形成一第一电极；(d)在第一电极的顶面上形成一个晶粒生长阻止层；(e)将晶粒生长阻止层构图为另一种预定的结构以在第一电极的底部区域中保持一个残余的晶粒生长阻止层；(f)进行一第一亚稳多晶硅(MPS)晶粒生长工艺，以使第一亚稳多晶硅晶粒在第一电极的除覆盖有残余晶粒生长阻止层的底部区域外的内壁上生长；(g)除去残余的晶粒生长阻止层以暴露出第一电极的底部区域；(h)除去包覆第一电极的牺牲绝缘层；(i)在第一电极上形成一介电层；以及(j)在介电层的顶面上形成一个第二电极。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||