| 发明名称 | Ag基合金薄膜及Ag基合金薄膜形成用溅射靶 | ||
| 摘要 | 本发明涉及Ag合金膜，尤其适合用于光信息记录介质领域中具有高导热系数、高反射率、高耐久性的光信息记录介质用反射膜和半透过反射膜、耐Ag凝集性优异的电磁波屏蔽用膜、反射型液晶显示元件等背面光反射膜。本发明Ag合金膜是由Bi和/或Sb合计含有0.005～10％(指原子％)的Ag合金膜构成。本发明进而涉及用于这种Ag合金膜的成膜的溅射靶。 | ||
| 申请公布号 | CN1483852A | 申请公布日期 | 2004.03.24 |
| 申请号 | CN03127461.7 | 申请日期 | 2003.08.07 |
| 申请人 | 株式会社神户制钢所 | 发明人 | 田内裕基;高木胜寿;中井淳一;佐藤俊树 |
| 分类号 | C23C14/14;C23C14/34 | 主分类号 | C23C14/14 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1.一种Ag基合金薄膜，其特征在于：其中含有至少一种选自由Bi和Sb构成的组中的元素，Bi和Sb的含量合计为0.005～10原子％。 | ||
| 地址 | 日本兵库县 | ||