发明名称 |
高含量Si/Al复合材料的无压浸渗制备方法 |
摘要 |
本发明涉及材料领域中高含量Si/Al复合材料的制备方法。为克服现有技术用于硅-铝体系制备浸渗过程中会出现预制体坍塌或变形、制品形状的近终型无法保障的不足,本发明采用冷等静压预制成形多孔硅预制体,调节硅的颗粒度和冷等静压工艺参数,使孔隙率在25-50%之间;将预制体放入陶瓷坩锅内,在其上放置成分为硅10-20%、镁0-5%的铝合金料,在真空下或氮气下升温并经保温后,炉冷至室温,可得到硅体积含量50-75%的复合材料。本发明在浸渗过程中有效地抑制了硅多孔体骨架的溶解,工艺简单、浸渗效率高,保证了硅多孔体骨架的完整性和制品的近终型,所得到的复合材料硅相呈三维网络状连续,铝合金相在其间隙也三维连通。 |
申请公布号 |
CN1483845A |
申请公布日期 |
2004.03.24 |
申请号 |
CN03134422.4 |
申请日期 |
2003.07.23 |
申请人 |
西北工业大学 |
发明人 |
胡锐;朱冠勇;李金山;傅恒志 |
分类号 |
C22C1/10;C22C21/00;C22C47/08 |
主分类号 |
C22C1/10 |
代理机构 |
西北工业大学专利中心 |
代理人 |
慕安荣 |
主权项 |
1.一种高含量Si/Al复合材料的无压浸渗制备方法,将硅颗粒预制成多孔硅预制体后放入耐热容器内,在其上放置铝合金料,在加热炉中真空下或氮气下升至浸渗温度、保温,浸渗完成后炉冷至室温可得到硅体积含量50-75%的复合材料,其特征为:(1)多孔预制体采用冷等静压预制成形,调节硅的颗粒度和冷等静压工艺参数、孔隙率可在25-50%之间变动;(2)利用铝合金进行浸渗,其成分与重量含量为:硅10-20%、镁1-5%,余量为铝;(3)浸渗温度为650-900℃,保温时间为30-180分钟。 |
地址 |
710072陕西省西安市友谊西路127号 |