发明名称 高含量Si/Al复合材料的无压浸渗制备方法
摘要 本发明涉及材料领域中高含量Si/Al复合材料的制备方法。为克服现有技术用于硅-铝体系制备浸渗过程中会出现预制体坍塌或变形、制品形状的近终型无法保障的不足,本发明采用冷等静压预制成形多孔硅预制体,调节硅的颗粒度和冷等静压工艺参数,使孔隙率在25-50%之间;将预制体放入陶瓷坩锅内,在其上放置成分为硅10-20%、镁0-5%的铝合金料,在真空下或氮气下升温并经保温后,炉冷至室温,可得到硅体积含量50-75%的复合材料。本发明在浸渗过程中有效地抑制了硅多孔体骨架的溶解,工艺简单、浸渗效率高,保证了硅多孔体骨架的完整性和制品的近终型,所得到的复合材料硅相呈三维网络状连续,铝合金相在其间隙也三维连通。
申请公布号 CN1483845A 申请公布日期 2004.03.24
申请号 CN03134422.4 申请日期 2003.07.23
申请人 西北工业大学 发明人 胡锐;朱冠勇;李金山;傅恒志
分类号 C22C1/10;C22C21/00;C22C47/08 主分类号 C22C1/10
代理机构 西北工业大学专利中心 代理人 慕安荣
主权项 1.一种高含量Si/Al复合材料的无压浸渗制备方法,将硅颗粒预制成多孔硅预制体后放入耐热容器内,在其上放置铝合金料,在加热炉中真空下或氮气下升至浸渗温度、保温,浸渗完成后炉冷至室温可得到硅体积含量50-75%的复合材料,其特征为:(1)多孔预制体采用冷等静压预制成形,调节硅的颗粒度和冷等静压工艺参数、孔隙率可在25-50%之间变动;(2)利用铝合金进行浸渗,其成分与重量含量为:硅10-20%、镁1-5%,余量为铝;(3)浸渗温度为650-900℃,保温时间为30-180分钟。
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