一维纳米材料方向及形状调整方法

摘要

本发明涉及一种调整一维纳米材料的形状和方向的方法，利用脉冲激光束按选定方向照射一维纳米材料阵列，形成锥形的尖端，改变其形状及方向，并清洁阵列的上表面，从而降低场发射电场阀值，消除电场屏蔽效应，提高场发射效果。

主权项

1.一种一维纳米材料方向及形状调整方法，该方法包括步骤：提供一基板，其具有一平整表面；在该基板表面上直接生长一维纳米材料阵列或者将一维纳米材料阵列移植至该基板表面，其中该一维纳米材料阵列具有平行基板表面的上表面；提供一激光发射源；开启激光发射源，发射激光束照射上述一维纳米材料阵列的上表面。