发明名称 邻近字线侧壁形成的垂直器件和用于半导体芯片的方法
摘要 一种半导体器件,包括形成了沟槽的衬底,该沟槽包括设置在沟槽内的存贮节点。在衬底内和邻近一部分该衬底设置字线。包括有垂直设置的晶体管,其中字线用作为栅极,存贮节点和位线用作为源极和漏极之一个,使得当字线被通电时,该晶体管在存贮节点和位线之间导通。本发明还包括加工具有垂直晶体管的半导体器件的方法。
申请公布号 CN1143393C 申请公布日期 2004.03.24
申请号 CN99106460.7 申请日期 1999.05.11
申请人 西门子公司 发明人 T·S·鲁普
分类号 H01L27/108;H01L21/8242 主分类号 H01L27/108
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 邹光新;张志醒
主权项 1.一种半导体器件,包括:形成有沟槽的衬底,该沟槽包括设置在该沟槽之内的存储节点;设置在该衬底表面的下面并邻近一部分该衬底的字线;和沿上述衬底的上述一部分垂直设置的晶体管,其中字线用作为所述垂直设置的晶体管的栅极,上述存储节点和位线分别用作为源极和漏极之一,使得当被字线激励时,该晶体管在存储节点和位线之间导通;和上述垂直设置的晶体管位于占据第一布线区域的一个有源区内,上述沟槽位于第二布线区,所述第一布线区具有第一特征尺寸,所述第二布线区具有第二特征尺寸,其中第一和第二特征尺寸平行并且相等。
地址 联邦德国慕尼黑