发明名称 |
基板装置及其制造方法、电光装置以及电子设备 |
摘要 |
在基板上,具备包含半导体层的TFT;与上述半导体层的一部分电气连接的第1电极;与第1电极相对配置的第2电极;由包含被配置在第1电极以及第2电极之间的氮化膜的电介质膜构成的,被形成在上述TFT上的电容器。上述氮化膜,平面地看,具有可以面对上述半导体层的开口部。相对半导体层的氢化,通过使用该开口部,可以有效地进行。 |
申请公布号 |
CN1484316A |
申请公布日期 |
2004.03.24 |
申请号 |
CN03153680.8 |
申请日期 |
2003.08.19 |
申请人 |
精工爱普生株式会社 |
发明人 |
壹岐拓则;林朋彦 |
分类号 |
H01L27/12;H01L29/786;H01L21/84;G02F1/136;G09F9/30 |
主分类号 |
H01L27/12 |
代理机构 |
北京市中咨律师事务所 |
代理人 |
李峥;马江立 |
主权项 |
1.一种基板装置,其特征在于,具备:被设置在基板上包含半导体层的薄膜晶体管;以及由与上述半导体层的一部分电气连接的第1电极、与该第1电极相对配置的第2电极、和包含被配置在上述第1电极以及上述第2电极之间的氮化膜的电介质膜构成,被形成在上述薄膜晶体管上的电容器;其中,上述氮化膜,具有用于将上述半导体层氢化的开口部。 |
地址 |
日本东京都 |