二极管制造方法

摘要

一种二极管制造方法，以半导体硅外延片为对象，对其进行氧化膜工序、光刻工序、杂质掺入工序、杂质扩散工序、光刻工序、钝化膜工序、光刻工序、金属膜工序、光刻工序以及合金工序，其特征在于：制膜工序及杂质掺入工序采用化学汽相淀积方法并结合低温热处理在半导体片表面沉积薄层材料。本发明核心在于低温下进行的工序，其实现的手段是对制膜工序和杂质掺入工序采用化学汽相淀积方法(CVD方法)进行。结果在经济性、实用性方面获得很大利益的同时，还节省了生产中的能耗，提高了二极管的性能和品质。据计算，与过去的方法相比，实施本发明估计可减少芯片尺寸约60％、综合原价近50％。实用性之大、获利性之大可想而知。

主权项

1、一种二极管制造方法，以半导体硅外延片为对象，对其进行氧化膜工序、光刻工序、杂质掺入工序、杂质扩散工序、光刻工序、钝化膜工序、光刻工序、金属膜工序、光刻工序以及合金工序，其特征在于：制膜工序及杂质掺入工序采用化学汽相淀积方法并结合低温热处理在半导体片表面沉积薄层材料。