| 发明名称 | 磁场炉和一种使用磁场炉制造半导体衬底的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于制造例如蹼状晶体的半导体衬底的设备和方法。该设备包括室和封装在室内的生长器皿组件。磁场系统在室内产生一个垂直的磁场。 | ||
| 申请公布号 | CN1484715A | 申请公布日期 | 2004.03.24 |
| 申请号 | CN01821538.6 | 申请日期 | 2001.12.28 |
| 申请人 | 埃伯乐太阳能公司 | 发明人 | 希尔顿·F·格拉维施;矶崎秀之;舞惠治;藤田健太郎 |
| 分类号 | C30B15/00;C30B15/30 | 主分类号 | C30B15/00 |
| 代理机构 | 北京东方亿思专利代理有限责任公司 | 代理人 | 杜娟 |
| 主权项 | 1.一种用于制造半导体衬底的设备，包括：(a)室；(b)位于所述室内的生长器皿组件，所述生长器皿组件被用于生长衬底；和(c)环绕所述室的周边的磁场发生器，所述磁场发生器被用于在生长过程中提供磁场。 | ||
| 地址 | 美国宾夕法尼亚州 | ||