| 发明名称 | 铁电存储器装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及具有由许多存储器单元组成的存储器单元阵列的一种铁电存储器装置，这些存储器单元分别具有至少一个选择晶体管(TG1，TG2)和一个存储电容器(CF1，CF2)，并且是经字线(WL)和位线(BL，bBL)可控制的。跨每个存储电容器(CF1，CF2)有一支短路晶体管(SG1，SG2)，以便保护存储电容器(CF1，CF2)免受干扰脉冲。 | ||
| 申请公布号 | CN1143316C | 申请公布日期 | 2004.03.24 |
| 申请号 | CN99808988.5 | 申请日期 | 1999.07.05 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | G·布劳恩;H·赫尼格施米德 |
| 分类号 | G11C11/22 | 主分类号 | G11C11/22 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 马铁良;孙黎明 |
| 主权项 | 1.具有由许多存储器单元构成的存储器单元阵列的铁电存储器装置，这些存储器单元分别由一个选择晶体管(TG1，TG2)、一个短路晶体管(SG1，SG2)和一个存储电容器(CF1，CF2)构成，并且可经字线(WLi)和经位线(BL，bBL)进行控制，其中，在每个存储单元中，将具有可控制线路的所述短路晶体管设置在该存储单元的所述存储电容器(CF1，CF2)的电极之间，其特征在于，-所述短路晶体管(SG)具有不同于所述选择晶体管(TG)的一个另外的起始电压，和-所述选择晶体管(TG)的控制接头和所述短路晶体管(SG)的控制接头与所述字线(WLi)相连接。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||