化合物半导体发光器件的外延衬底及制造方法和发光器件

摘要

为了提高发光效率而不致降低发光层结构的保护性能，设置了一种与发光层结构相接触的由第一到第三层组成的3－层p－型层结构。第一层是一层n－型AlGaN层，它用作保护层，第三层是一层GaN∶Mg层，它用作接触层，形成在这两层之间的第二层是一层作为中间层的AlGaN∶Mg层，设置中间层，即使在n－型AlGaN层做得很薄的情况下，也能使InGAN层在其上生长延层时得到彻底的防热保护，以此可以使GaN∶Mg层设置得接近发光层结构，以增强向发光层结构中注入空穴的效率，从而提高发光效率。

主权项

1.一种用于化合物半导体发光器件的外延衬底，包括：包括一pn结的一双异质发光层结构；和与发光层结构相接触形成的一p-型层侧层结构，从与发光层结构相接触的膜层起始依次包括用InxAlyGazN(x+y+z＝1，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1)表示的一n-型第一层，用InuAlvGawN(u+v+w＝1，0≤u≤1，0≤v≤1，0≤w≤1)表示的一p-型第二层，和用InpAlqGarN(p+q+t＝1，0≤p≤1，0≤q≤1，0≤r≤1)表示的一p-型第三层，三层膜各自与其邻层接触形成。