耐高温固态压阻式平膜力敏芯片及其制作方法

摘要

本发明提供了耐高温固态压阻式平膜力敏芯片及其制作方法，经过SIMOX工艺在硅片下注入二氧化硅绝缘层，在硅面上光刻出四个电阻R₁、R₂、R₃和R₄，得到凸出于二氧化硅表面的硅面的“浮雕式”电阻测量电路，通过钛－铂－金梁式引线技术将电阻条连接成为惠斯登测量电路；该芯片的二氧化硅绝缘层将上层的单晶硅惠斯登测量电路与基底硅隔离开，避免了测量电路层与硅基底之间因环境温度升高而造成的漏电流，提高了耐高温性能，工作温度范围为－40～350℃，钛－铂－金梁式引线技术解决了力敏芯片的高温引线技术问题。该芯片可适用于耐高温环境的力、压力、位移、加速度、扭矩及流速等传感器。

主权项

1、一种耐高温固态压阻式平膜力敏芯片，该芯片包括有硅基底[1]，其特征是在硅基底[1]上加入0.3μm～0.4μm的二氧化硅隔离层[2]，在二氧化硅隔[2]离层上加入1.2μm～2μm硅测量电路层[3]，以及在硅测量电路层[3]上加入0.1μm～0.2μm氮化硅应力匹配层[4]。