发明名称 | 电平转换电路 | ||
摘要 | 电平转换电路,具有第一导电类型的第一晶体管(1)及第二晶体管(2),具有一个第二导电类型的第三晶体管(3),其中第二晶体管(2)及第三晶体管(3)的节点构成了电平转换电路的输出端(A),具有一个第二导电类型的第四晶体管(4),具有一个电容(5、6),它连接在第三及第四晶体管(3、4)的控制端子之间,及具有一个箝位电路,它连接在第四晶体管(4)的控制端子前面。 | ||
申请公布号 | CN1143433C | 申请公布日期 | 2004.03.24 |
申请号 | CN98119208.4 | 申请日期 | 1998.09.10 |
申请人 | 西门子公司 | 发明人 | Z·马尼奥基 |
分类号 | H03K19/017 | 主分类号 | H03K19/017 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 马铁良;王岳 |
主权项 | 1.一种电平转换电路,具有一个p型或者n型导电类型的第一MOS场效应晶体管(1)及一个同样导电类型的第二MOS场效应晶体管(2),所述第一和第二MOS场效应晶体管的栅极分别通过其中另一个MOS场效应晶体管的源极-漏极连接到第一电源电位(V1)上,具有一个与第一MOS场效应晶体管的极性相反的导电类型的第三MOS场效应晶体管(3),它的源极-漏极连接在第一MOS场效应晶体管(1)的栅极及参考电位(M)之间,及它的栅极与电位转换电路的输入端(E)相连接,其中第二MOS场效应晶体管(2)及第三MOS场效应晶体管(3)的交点与电平转换电路的输出端(A)相连接,具有一个与第一MOS场效应晶体管的极性相反的导电类型的第四MOS场效应晶体管(4),它的源极-漏极连接在第二MOS场效应晶体管(2)的栅极和第三MOS场效应晶体管(3)的栅极之间,具有一个电容(5,6),它连接在第三及第四MOS场效应晶体管(3,4)的栅极之间,及具有一个箝位电路,它连接在第四MOS场效应晶体管(4)的栅极的前面。 | ||
地址 | 联邦德国慕尼黑 |