| 主权项 |
1.一种整合微机电元件与半导体元件之方法,包括:(a1)提供一微机电元件,其中该微机电元件系具有一第一基板及至少一元件层;(a2)涂布一光阻层于该微机电元件之该元件层上;(a3)针对该光阻层以一预定图形进行曝光显影,制造出复数个第一通孔(via);(a4)在该些第一通孔中形成一结合层(bonding layer);(a5)移除该光阻层;(b1)提供一半导体元件,其中该半导体元件系包括有一金属层,以及至少一绝缘层覆盖于该金属层之上;(b2)在该绝缘层相对应于该些第一通孔之位置蚀刻出复数个第二通孔;(b3)进行锌置换于该些第二通孔位置之金属层;(b4)电镀一导电层于该些第二通孔中;以及(c)将该些第一通孔中之结合层回焊于相对应之该些第二通孔中之导电层,完成该微机电元件与该半导体元件之整合。2.如申请专利范围第1项所述之整合微机电元件与半导体元件之方法,其中该微机电元件之第一基板之材质系选自一群组包括:矽基板、石英基板、低温共烧陶瓷基板、氧化铝基板、玻璃基板及砷化镓基板。3.如申请专利范围第1项所述之整合微机电元件与半导体元件之方法,其中该结合层之材质系为锡铅、锡银、锡银铜或其混合物。4.如申请专利范围第1项所述之整合微机电元件与半导体元件之方法,其中该半导体元件之金属层系由铝所构成。5.如申请专利范围第1项所述之整合微机电元件与半导体元件之方法,其中该半导体元件之绝缘层系有两层,分别为二氧化矽及氮化矽所组成。6.如申请专利范围第1项所述之整合微机电元件与半导体元件之方法,其中该导电层之材质系为镍。7.如申请专利范围第6项所述之整合微机电元件与半导体元件之方法,其中该步骤(b4)中之电镀方法系为无电解电镀。图式简单说明:图1a~1c系本发明实施例之半导体元件修正流程。图2a~2e系本发明实施例之微机电元件修正流程。图3系本发明实施例flip chip bonding示意图。 |
