发明名称 有机电激发光显示元件及其制作方法
摘要 一种有机电激发光显示元件,包括有:一玻璃基板;一光学补偿膜,系形成于玻璃基板之表面上;一阳极导电层,系形成于光学补偿膜之表面上;一积层结构,系形成于阳极导电层之表面上,系由有机材料所构成;以及一阴极导电层,系形成于积层结构之表面上。其中,光学补偿膜系采用透光之介电材质,且其透光性质并不限定针对于何种波长之光线,可使有机电激发光显示元件对特定波长范围之透光率提升至90%左右,且可提升有机电激发光显示元件之红光的发光效率。伍、(一)、本案代表图为:第4图。(二)、本案代表图之元件代表符号简单说明:玻璃基板~30; 阳极导电层~32;积层结构~33; 电洞注入层~34;电洞传输层~36; 有机发光材料层~38;电子传输层~40; 电子注入层~42;阴极导电层~44; 光发射方向~45;光学补偿膜~46。
申请公布号 TW580846 申请公布日期 2004.03.21
申请号 TW092100526 申请日期 2003.01.10
申请人 友达光电股份有限公司 发明人 萧调宏
分类号 H05B33/22;H05B33/10 主分类号 H05B33/22
代理机构 代理人 洪澄文 台北市大安区信义路四段二七九号三楼;颜锦顺 台北市大安区信义路四段二七九号三楼
主权项 1.一种有机电激发光显示元件,包括有: 一玻璃基板; 一光学补偿膜,系形成于该玻璃基板之表面上,其 中该光学补偿膜系采用透光之介电材质,且其透光 性质并不限定针对于何种波长之光线; 一阳极导电层,系形成于该光学补偿膜之表面上; 一积层结构,系形成于该阳极导电层之表面上,系 由有机材料所构成;以及 一阴极导电层,系形成于该积层结构之表面上。2. 如申请专利范围第1项所述之有机电激发光显示元 件,其中该光学补偿膜系采用氮化矽(SiNx)材质。3. 如申请专利范围第1项所述之有机电激发光显示元 件,其中该光学补偿膜之厚度范围为100~3000。4. 如申请专利范围第1项所述之有机电激发光显示元 件,其中该光学补偿膜可使该有机电激发光显示元 件针对红光之透光率提升至90%左右。5.如申请专 利范围第1项所述之有机电激发光显示元件,其中 该阳极导电层系采用铟锡氧化物(ITO)材质。6.如申 请专利范围第1项所述之有机电激发光显示元件, 其中该积层结构包含有: 一电洞注入层,系形成于该阳极导电层之表面上; 一有机发光材料层,系形成于该电洞注入层之表面 上;以及 一电子注入层,系形成于该有机发光材料层之表面 上。7.如申请专利范围第1项所述之有机电激发光 显示元件,其中该有机电激发光显示元件系为OLED 元件或PLED元件。8.一种有机电激发光显示元件之 制作方法,包括有下列步骤: 提供一玻璃基板; 于该玻璃基板之表面上形成一光学补偿膜,其中该 光学补偿膜系采用透光之介电材质,且其透光性质 并不限定针对于何种波长之光线; 于该光学补偿膜之表面上形成一阳极导电层; 于该阳极导电层之表面上形成一积层结构,该积层 结构系由有机材料所构成;以及 于该积层结构之表面上形成一阴极导电层。9.如 申请专利范围第8项所述之有机电激发光显示元件 之制作方法,其中该光学补偿膜系采用氮化矽(SiNx) 材质。10.如申请专利范围第8项所述之有机电激发 光显示元件之制作方法,其中该光学补偿膜之厚度 范围为100 ~ 3000。11.如申请专利范围第8项所述 之有机电激发光显示元件之制作方法,其中该光学 补偿膜可使该有机电激发光显示元件之透光率提 升至90%左右。12.如申请专利范围第8项所述之有机 电激发光显示元件之制作方法,其中该光学补偿膜 可提升该有机电激发光显示元件之红光的发光效 率。13.如申请专利范围第8项所述之有机电激发光 显示元件之制作方法,其中该阳极导电层系采用铟 锡氧化物(ITO)材质。14.如申请专利范围第8项所述 之有机电激发光显示元件之制作方法,其中该积层 结构包含有: 一电洞注入层,系形成于该阳极导电层之表面上; 一有机发光材料层,系形成于该电洞注入层之表面 上;以及 一电子注入层,系形成于该有机发光材料层之表面 上。15.如申请专利范围第8项所述之有机电激发光 显示元件之制作方法,其中该有机电激发光显示元 件系为OLED元件或PLED元件。图式简单说明: 第1图显示习知有机电激发光显示元件之剖面示意 图。 第2图显示习知有机电激发光显示元件之红、蓝、 绿光之发光效率与电压的关系图。 第3图显示玻璃-ITO介面对于各种波长光线之穿透 率关系图。 第4图显示本发明有机电激发光显示元件之剖面示 意图。 第5图显示本发明技术采用玻璃/SiNx/ITO组合之透光 率与波谱的关系图。
地址 新竹市新竹科学工业园区力行二路一号