| 主权项 |
1.一种元件用薄膜层之成膜方法,其特征为令二种 以上之淀积材料以真空淀积法予以淀积,于淀积基 板上形成一种或二种以上之薄膜之成膜方法,对于 由有机物所成之淀积材料i,将淀积基板上之淀稹 位置与淀积膜厚之关系以下述式(1) Di/D0iLo/Li)3cosnii ‥‥‥(1) (而L0为由淀积源至淀积基板面之垂直距离,D0i为由 淀积源至淀积基板面之垂线与淀积基板面之交点 上淀积材料i的淀积膜厚,Di为由淀积源至淀积基板 面垂下之垂线之放射角为i、且由淀积源之距离 为Li之位置上淀积材料i的淀积膜厚)近似时,将各 淀积材料ni値控制为全部于k0.5(而k为2~5之常数)之 范围内予以淀积。2.如申请专利范围第1项之元件 用薄膜层之成膜方法,其中常数k为2~3。3.如申请专 利范围第1项之元件用薄膜层之成膜方法,其中常 数k为2。4.如申请专利范围第1~3项中任一项之元件 用薄膜层之成膜方法,其中ni値之控制方法为(a)保 持淀积源并调整坩埚形状之方法、及(b)调整淀积 速度方法中之一种以上。5.如申请专利范围第1项 之元件用薄膜层之成膜方法,其为令二种以上之淀 积材料依序淀积,并且形成元件用薄膜层之层合体 。6.如申请专利范围第1项之元件用薄膜层之成膜 方法,其为令二种以上之淀积材料同时共同淀积, 形成一个共淀积膜。7.如申请专利范围第1项之元 件用薄膜层之成膜方法,其为以离心旋转淀积法进 行淀积。8.一种元件用薄膜层之成膜方法,其为于 如申请专利范围第1项之元件用薄膜层之成膜方法 中,使用具有构成有机电激发光元件之各层之有机 物做为该淀积材料,并且形成有机电激发光元件之 有机层。9.一种元件用薄膜层之成膜方法,其为于 如申请专利范围第6项之元件用薄膜层之成膜方法 中,淀积材料为发光层之主材料和发光层之掺混材 料,令其共同淀积并且形成有机电激发光元件之发 光层。10.一种有机电激发光元件,其为具备经由如 申请专利范围第8项之元件用薄膜层之成膜方法所 形成之有机层。11.一种有机电激发光元件,其为具 备经由如申请专利范围第9项之元件用薄膜层之成 膜方法所形成之发光层。12.如申请专利范围第10 或11项之有机电激发光元件,其中于同一元件内之 CIE发光色度X座标之偏差为0.005/250mm以下,Y座标之 偏差为0.02/250mm以下。13.如申请专利范围第10项之 有机电激发光元件,其中同一元件内之电力转换效 率之偏差为15%/250mm以下。图式简单说明: 图1为关于本发明之一实施态样之以离心回转淀积 方法之成膜方法的概念图。 图2为示出以本发明实施例1及比较例1之成膜方法 所得之有机EL元件之发光色度(X轴)的偏差图。 图3为示出以本发明实施例1及比较例1之成膜方法 所得之有机EL元件之发光色度(Y轴)的偏差图。 图4为示出以本发明实施例1及比较例1之成膜方法 所得之有机EL元件之发电转换效率(效率)之偏差图 。 |
