| 发明名称 |
DOUBLE-GATE TYPE MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR AND PRODUCTION METHOD THEREFOR |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
AU2003264342(A1) |
申请公布日期 |
2004.03.19 |
| 申请号 |
AU20030264342 |
申请日期 |
2003.08.28 |
| 申请人 |
NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY |
发明人 |
MEISHOKU MASAHARA |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/78;H01L29/41;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/49 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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