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发明名称 VERFAHREN ZUR BILDUNG EINES KANALGEBIETS IN EINER SiC-SCHICHT FÜR EIN SPANNUNGSGESTEUERTES HALBLEITERBAUELEMENT
摘要
申请公布号 DE69727575(D1) 申请公布日期 2004.03.18
申请号 DE1997627575 申请日期 1997.06.09
申请人 CREE, INC. 发明人 HARRIS, CHRISTOPHER
分类号 H01L21/265;H01L21/04;H01L21/22;H01L21/335;H01L21/336;H01L29/12;H01L29/24;H01L29/739;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/335 主分类号 H01L21/265
代理机构 代理人
主权项
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