Verfahren zum Bilden eines Gate-Kontakts in einer Halbleitervorrichtung

摘要

Eine Verarbeitungssequenz zur Definition von Gate-Kontakten kann unter Verwendung von entweder einer tief ultravioletten (DUV) oder mittleren ultravioletten (MUV) positiven Photoresistverarbeitung implementiert werden und unterstützt die Verwendung einer Maske, die Kontakte zu verschiedenen Bereichen integriert, die Gates, Sources und Drains verschiedener Vorrichtungen einschließen. In einem Beispiel wird der Wafer mit einer planarisierenden, antireflektierenden Beschichtung (ARC) beschichtet, die dann ein Abbilden von Gate-Kontakten unter Verwendung eines positiven DUV- oder MUV-Resists unterstützt. Diese Verarbeitung lässt es zu, dass die Nitridkappe bestimmter Transistoren durch ein Oxid ersetzt wird. In diesem Beispiel kann die ARC als eine Ätzführung für eine selektive Entfernung eines Films dienen.