Halbleiterelement mit einer Polysilizium-Linienstruktur mit vergrößertem Metallsilizidbereichen und ein Verfahren zur Herstellung der Polysilizium-Linienstruktur eines Halbleiterelementes

摘要

Es wird ein Verfahren zur Herstellung von Polysilizium-Linienstrukturen, etwa von Gateelektroden von Feldeffekt-Transistoren, bereitgestellt, wobei Oxidabstandselemente von den Seitenwänden der Polygatelinien vor dem Abscheiden der Oxidbeschichtung entfernt werden. Somit sind nach der Herstellung der endgültigen Abstandselemente die Linienseitenwände nicht mehr mit dem Oxid der Abstandselemente bedeckt, sondern alle Silizid-Vorreinigungsverfahren können die Polyseitenwände vollständig reinigen, wodurch verbesserte Silizidierungsbedingungen folgen, die Gatelinien mit einem sehr geringen Schichtwiderstand zur Folge haben.