发明名称 磁随机存取存储器
摘要 提供一种磁随机存取存储器。在设定电路登录用于确定写入字/位线电流的供给/切断定时,大小及其时间的变化(电流波形)的设定数据。写入电流波形控制电路,根据该设定数据,生成写入字线驱动信号、写入字线吸收信号、写入位线驱动信号和写入位线吸收信号。对每个芯片或者每个存储单元阵列控制写入字/位线电流的电流波形。
申请公布号 CN1482617A 申请公布日期 2004.03.17
申请号 CN03154513.0 申请日期 2003.05.15
申请人 株式会社东芝 发明人 岩田佳久;中島健太郎;徐向京;史达洋
分类号 G11C11/15;H01L43/00 主分类号 G11C11/15
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 付建军
主权项 1.一种磁随机存取存储器的写入方法,包括如下步骤:对具有易轴和难轴的磁致电阻效应元件,施加平行于所述难轴的第一磁场,之后,对所述磁致电阻效应元件同时施加比所述第一磁场更弱的平行于所述难轴的第二磁场和平行于所述易轴的第三磁场。
地址 日本东京都