一种形成栅极和电容的间隙壁的制作方法

摘要

一种形成栅极和电容之间隙壁的制作方法，此方法的步骤如下：在基板上形成浅沟绝缘区，且在其上依次形成一垫氧化层、一蚀刻停止层和第一氧化层。向下蚀刻出一凹陷区域，在该凹陷内壁沉积第一导体层，移除第一氧化层及蚀刻停止层，并依次形成介电层、第二导体层、第一氮化硅层、氮氧化硅层覆盖在浅沟绝缘区及有源区上，在该有源区上向下蚀刻到垫氧化层，依次形成第二氮化硅层和第二氧化层，先蚀刻第二氧化层，再蚀刻第二氮化硅层最后形成氮化硅和氧化层组合而成之间隙壁。

主权项

1、一种形成栅极和电容之间隙壁的制作方法，该方法至少包含：形成一浅沟绝缘区于一半导体基材；依次形成一下电极层、一第一介电层、一上电极层和一第二介电层于该浅沟绝缘区；依次覆盖一氧化层和一第三介电层于该上电极层的侧壁及上方；蚀刻该第三介电层形成间隙壁。