| 发明名称 | 一种金刚石／碳或氮化物纳米混相梯度复合薄膜的制备方法 | ||
| 摘要 | 一种金刚石/碳或氮化物纳米混相梯度复合薄膜的制备方法，其特征在于：以H<SUB>2</SUB>、含有可形成碳化物XC或氮化物XN的有机气体或无机气体的多相混合气体为原料，其中H∶C(N)∶X＝1∶0.005～0.1∶0.005～0.02，X选自硅或钛，采用化学气相沉积过程制备金刚石/碳化物纳米混相梯度复合薄膜。本发明可以有效地解决金刚石薄膜与金属基体间的结合问题，从而使得金刚石薄膜在工业中的应用成为可能。 | ||
| 申请公布号 | CN1482275A | 申请公布日期 | 2004.03.17 |
| 申请号 | CN02132885.4 | 申请日期 | 2002.09.09 |
| 申请人 | 姜福英;姜辛 | 发明人 | 姜辛 |
| 分类号 | C23C16/27 | 主分类号 | C23C16/27 |
| 代理机构 | 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 | 代理人 | 张晨 |
| 主权项 | 1、一种金刚石/碳或氮化物纳米混相梯度复合薄膜的制备方法，其特征在于：以H2、含有可形成碳化物XC或氮化物XN的有机气体或无机气体的多相混合气体为原料，其中H∶C(N)∶X＝1∶0.005～0.1∶0.005～0.02，X选自硅或钛，采用化学气相沉积过程制备金刚石/碳化物纳米混相梯度复合薄膜。 | ||
| 地址 | 110001辽宁省沈阳市和平区九纬路4号10－4－2 | ||