| 发明名称 | 碳氟膜的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种碳氟膜的制造方法，此制造方法是将一基底置入反应器中。接着，将高碳/氟比的反应气体导入反应器中，并且此反应气体的组成式为C<SUB>x</SUB>F<SUB>y</SUB>，其中y/x的比例≤2。然后，提供反应器的上极板一第一电源以离子化此反应气体，并提供基底底部一第二电源以供给基底一自我偏压，以于基底上形成碳氟膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1482652A | 申请公布日期 | 2004.03.17 |
| 申请号 | CN02141700.8 | 申请日期 | 2002.09.13 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 蔡信谊;梁明中 |
| 分类号 | H01L21/31 | 主分类号 | H01L21/31 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1.一种碳氟膜的制造方法，其特征在于：该制造方法包括下列步骤：将一基底置入一反应器中；将一反应气体导入该反应器中，其中该反应气体的组成式为CxFy，并且y/x的比例≤2.0；提供该反应器的上极板一第一电源，以离子化该反应气体，并提供该基底的底部一第二电源，以供给该基底一自我偏压，以在该基底上形成该碳氟膜。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 | ||