| 发明名称 | 用于快闪存储晶单元的ONO内复晶介电质及制作方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体元件的制造方法，包括提供一个晶圆基底，在晶圆基底上形成一层第一氧化硅层；利用低温沉积制作工艺在第一氧化硅层上沉积一层氮化物层；以及在氮化物层上形成一层第二氧化硅层。低温制作工艺可以在约为摄氏700度的温度下形成一层氮化物层，作为氧化物－氮化物－氧化物(ONO)介电质结构的一部份，透过这样的制作工艺，ONO介电质结构可以用低温沉积制作工艺来制作，这可以降低ONO介电质结构的厚度。 | ||
| 申请公布号 | CN1482654A | 申请公布日期 | 2004.03.17 |
| 申请号 | CN02155532.X | 申请日期 | 2002.12.05 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 谢荣裕;韩宗廷 |
| 分类号 | H01L21/316;H01L21/318;H01L21/28;H01L29/788 | 主分类号 | H01L21/316 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1、一种半导体元件的制造方法，其特征在于：包括：提供一晶圆基底；形成一第一氧化硅层于该晶圆基底上；以低温沉积制作工艺形成一氮化物层于该第一氧化硅层上；形成一第二氧化硅层于该氮化物层上。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 | ||